KRMSVC型高壓動態(tài)無功補償裝置是MCR、電容器分組投切和變壓器有載調壓功能為一體的無功補償及電壓優(yōu)化自動控制裝置。MCR是一種“磁閥”式可控飽和電抗器，通過直流控制電流的勵磁改變鐵芯的磁飽合度，從而達到平滑調節(jié)無功輸出的目的，由于電容器分組，實現雙向無功動態(tài)連續(xù)調節(jié)，另外MCR容量采用只需接近電容器單組大容量，就能達到合理的補償要求，降低設備的造價，同時運行損耗大大降低。
裝置原理和組成
MSVC磁控動態(tài)無功補償成套裝置由MSVC主控制屏、磁控電抗器(MCR)支路、補償(濾波)支路組成，能夠實現無功功率的連續(xù)動態(tài)補償。其中補償(濾波)支路主要由電容器、電抗器、放電線圈和保護元件等組成。具有提供容性無功補償和濾波的功能，磁控電抗器(MCR)支路由磁控電抗器(MCR)主體、ST型移相觸發(fā)控制裝置等組成，具有動態(tài)調節(jié)無功功率的功能。MSVC主控制屏由MSVC主控單元、智能式過零分合閘控制器、電抗器微機保護、電容器微機保護以及相關附屬設備組成。
訂貨須知
系統額定電壓
額定容量（磁控電抗器容量+電容器安裝容量）
主變臺數
電容器支路分組數
系統諧波背景
安裝方式及地點
使用環(huán)境
主要特點
●“磁閥”式可控飽和電抗器(MCR)，采用自耦直流勵磁技術不需要外接直流勵磁電源，完全由電抗器的內部繞組來實現控制。
●通過對低壓可控硅的控制，達到高壓系統無功調節(jié)，可靠性高，成本低。
●電抗器鐵芯處于極限磁飽工作方式，使諧波大大減少，而且具有有功損耗低、響應速度快、無功輸出連續(xù)平滑的特點。
●采用光隔離移相觸發(fā)技術，光纖傳輸移相觸發(fā)，高電位自取電控制，提高了系統絕緣水平，增強了裝置抗干擾能力，減少了設備的體積。
功能特點
1、控制系統采用基于DSP芯片的多CPU控制器，具有高度的可靠性和穩(wěn)定性，而且運算速度快，能夠實現復雜的算法。
2、模塊化設計，擴展靈活。
3、可控硅采用高質量元件，高壓取能，光電觸發(fā)，BOD保護，系統抗干擾強，運行可靠。
4、監(jiān)控部分由上位監(jiān)控機，人機顯示界面及其他相應終端器件構成。可以對系統電能質量進行持續(xù)監(jiān)控。
5、可直掛6KV、10KV、35KV、27.5KV電壓等級。
6、可實現三相同時控制，分相控制，三相平衡控制。
7、具有硬件保護和后備微機保護。
技術參數
電壓等級：6~35KV
額定頻率：50Hz
控制精度：0.5%
可控硅冷卻方式：自冷、風冷
動態(tài)響應時間：〈1000ms
控制方式：無功功率
過載能力：110%
噪音水平：65dB
交流電源
額定電壓：三相380V、單相220V
允許偏差：-20%~+40%
頻率：AC，50±1Hz
功率：三相380V不大于10KW/相。單相220V不大于3KV
直流電源
額定電壓：220V
允許偏差：-10%~+10%
功率：≤550W
主要特點
●“磁閥”式可控飽和電抗器(MCR)，采用自耦直流勵磁技術不需要外接直流勵磁電源，完全由電抗器的內部繞組來實現控制。
●通過對低壓可控硅的控制，達到高壓系統無功調節(jié)，可靠性高，成本低。
●電抗器鐵芯處于極限磁飽工作方式，使諧波大大減少，而且具有有功損耗低、響應速度快、無功輸出連續(xù)平滑的特點。
●采用光隔離移相觸發(fā)技術，光纖傳輸移相觸發(fā)，高電位自取電控制，提高了系統絕緣水平，增強了裝置抗干擾能力，減少了設備的體積。
功能特點
1、控制系統采用基于DSP芯片的多CPU控制器，具有高度的可靠性和穩(wěn)定性，而且運算速度快，能夠實現復雜的算法。
2、模塊化設計，擴展靈活。
3、可控硅采用高質量元件，高壓取能，光電觸發(fā)，BOD保護，系統抗干擾強，運行可靠。
4、監(jiān)控部分由上位監(jiān)控機，人機顯示界面及其他相應終端器件構成。可以對系統電能質量進行持續(xù)監(jiān)控。
5、可直掛6KV、10KV、35KV、27.5KV電壓等級。
6、可實現三相同時控制，分相控制，三相平衡控制。
7、具有硬件保護和后備微機保護。
技術參數
電壓等級：6~35KV
額定頻率：50Hz
控制精度：0.5%
可控硅冷卻方式：自冷、風冷
動態(tài)響應時間：〈1000ms
控制方式：無功功率
過載能力：110%
噪音水平：65dB
交流電源
額定電壓：三相380V、單相220V
允許偏差：-20%~+40%
頻率：AC，50±1Hz
功率：三相380V不大于10KW/相。單相220V不大于3KV
直流電源
額定電壓：220V
允許偏差：-10%~+10%
功率：≤550W
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